Wed, 11 Oct 2023 16:00:00 +0900 hourly 1 /release/202310050700 Wed, 11 Oct 2023 16:00:00 +0900 Floadia Floadia Corporation (hereinafter referred to as "Floadia''), which develops embedded flash memory I... Floadia Corporation
Floadia Corporation (hereinafter referred to as "Floadia''), which develops embedded flash memory IP cores based in the Tokyo suburb of Kodaira-shi, has raised approximately 1.05 billion yen in Series D round.
 
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As a first closing, Inabata & Co., Ltd. (hereinafter "Inabata") headquartered in Chuo-ku, Osaka, and Cypress Capital, a Hong Kong investment company, underwrote an allotment of capital for a total of 850 million yen. Including the 200 million yen raised through venture debt (loan with stock acquisition rights) from Japan Finance Corporation in March 2023, the total amount raised in this round was approximately 1.05 billion yen.
 
Floadia will use the funds raised to strengthen sales activities promoting its current primary business, embedded flash memory IP cores, to semiconductor manufacturers, and to enhance developing ultra-low power consumption AI accelerator chips that utilize flash memory devices. Inabata, which participated in this round, operates a wide range of businesses overseas in the information & electronics, chemicals, consumer goods industry and plastics sector, and plans to utilize the network to support Floadia's sales overseas.
 
Floadia is in the business of licensing the processes and circuit design necessary for manufacturing flash memory, a type of non-volatile memory (memory that stores data even when the power is turned off), to semiconductor manufacturers as intellectual property (IP). Floadia's flash memory IP cores are mainly used in microcontrollers, power semiconductors, sensors, etc., and require extremely lower power consumption than conventional flash memory IP cores, and can be integrated into chips at low cost. "G1," the first flash memory IP developed by Floadia, has been used in microcontrollers at Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, and passed quality standards that allow data retention for 10 years at 125 C after 10,000 Program and Erase operations at Taiwanese foundry TSMC. The IP was tested at even higher temperature of 200 C, and was confirmed to retain data for 10 years, the highest quality in the world.
 
Floadia is developing Computing in Memory (CIM) chips, which use flash memory devices as information transmission media, as a pillar of the next business following flash memory IP cores. Current AI calculation is mainly performed on large-scale servers located in the cloud such as data centers, but in addition to issues such as data security and latency, there are concerns about increased power consumption at data centers. Therefore, AI calculation processing on the terminal (edge) is required. Floadia's flash memory solves these issues with analog memory technology and enables advanced AI inference calculations in edge environments with significantly low power consumption.
 
Floadia has so far received approximately 3.9 billion yen from INCJ (Japanese government fund), UMC Capital (Taiwan), an affiliated company of major foundry UMC, Faraday Technology (Taiwan), a cutting-edge semiconductor design company, and Teijin Limited, a major Japanese chemical firm. Adding the amount raised in this round, the cumulative total raised to date is approximately 4.95 billion yen.
 
For inquiries regarding this press release: https://floadia.com/contact/
 
About Floadia Corporation
Floadia was established in 2011 by experienced engineers who had been developing embedded non-volatile memory for over 20 years at Hitachi, Ltd., and Renesas Technology (currently Renesas Electronics Corporation). The company licenses to semiconductor manufacturers as intellectual property (IP) the processes and circuit designs necessary for manufacturing embedded non-volatile memory (memory that retains its contents even when the power is turned off) used in microcontrollers, power semiconductors, sensors, etc. Floadia's non-volatile memory technology consumes only 1/1,000,000 of the power required to write and erase data, as compared to competitors' memory technologies, and has excellent high temperature tolerance, and requires only 1/3 of the additional cost to integrate into a chip. Because of these features, G1 has already been installed in automotive microcontrollers by domestic semiconductor manufacturers and has also been adopted by a foundry in Taiwan, where it is used as embedded memory in smartphone components.
 
]]> /release/202310100816 Wed, 11 Oct 2023 16:00:00 +0900 フローディア 組込み型フラッシュメモリ開発のフローディア、稲畑産業などから10.5億円を調達   組込み型フラッシュメモリのIPコア開発する株式会社フローディア（本社：東京都小平市、代表取締役社長：奥山幸祐、以下... 組込み型フラッシュメモリのIPコア開発する株式会社フローディア（本社：東京都小平市、代表取締役社長：奥山幸祐、以下「フローディア」）は、シリーズD投資ラウンドにおいて約10.5億円の資金調達を行いました。
 
今回の資金調達では、ファーストクロージングとして稲畑産業株式会社（本社：大阪市中央区、代表取締役社長：稲畑 勝太郎、以下 「稲畑産業」）と香港の投資会社であるCypress Capitalが、合計8.5億円の増資を引き受けました。2023年3月に実施した日本政策金融公庫からのベンチャーデット（新株予約権付融資）による2億円の調達を含め、今回のラウンドにおける総調達額は約10.5億円になりました。
 
フローディアは今回調達した資金を使って、主力事業である組込みフラッシュメモリIPコアの半導体メーカーなどへの販売に向けた営業活動の強化と、フラッシュメモリの素子を応用した超低消費電力のAIアクセラレーターチップの開発加速を図ります。今回のラウンドに参加した稲畑産業は、情報電子、化学品、生活産業、合成樹脂の部門で広く海外で事業を展開しており、そのネットワークを活用してフローディアの海外営業を支援する予定です。
 
フローディアは、不揮発性メモリ（電源を切ってもデータを維持するメモリ）の一種であるフラッシュメモリの製造に必要な工程や回路設計を、知的財産（IP）として半導体メーカーにライセンス提供する事業を展開しています。フローディアのフラッシュメモリIPコアは、主にマイコン、パワー半導体、センサー等に使われており、従来のフラッシュメモリIPコアに比べて消費電力が大幅に低いうえ、低コストでチップに集積できるといった特徴があります。フローディアが最初に開発したフラッシュメモリIPである「G1」は東芝デバイス&ストレージ株式会社のマイコンに採用されるなどの実績があり、また台湾の半導体ファウンドリであるTSMCにおいて、10,000回のプログラムおよび消去動作後に125℃で10年間データを保持できる品質基準に合格しました。さらに高い200℃においても同様の試験を行い、10年間データを保持できる世界最高水準の品質レベルであることも確認しています。
 
フローディアはフラッシュメモリIPコアに続く事業の柱とすべく、フラッシュメモリの素子を情報伝達の媒体にするComputing in Memory（CIM）チップを開発しています。現在のAI演算処理は、主にデータセンター等クラウド側にある大規模サーバー群にて行われていますが、データセキュリティ、リアルタイム性といった問題点に加え、データセンターにおける消費電力の増大が懸念されており、端末（エッジ）側でのAI演算処理が求められています。フローディアのフラッシュメモリは、それらの課題をアナログメモリ技術で克服し、エッジ環境における高度なAIの推論演算を圧倒的な低消費電力で実現します。
 
フローディアはこれまでに、INCJや大手ファンドリUMC傘下のUMC Capital（台湾）、最先端半導体の設計会社であるFaraday Technology（台湾）、日本の大手化学メーカーである帝人株式会社等から約39億円の資金調達を行ってきました。今回のラウンドでの調達額を加えると、これまでの累計資金調達額は約49.5億円になります。
 
本プレスリリースに関する問い合わせ先： https://floadia.com/jp/#contact
 
【 株式会社フローディアについて 】
日立製作所やルネサステクノロジ（現ルネサスエレクトロニクス）で、組込み型不揮発性メモリを20年以上にわたり開発していた経験豊富なエンジニア達が独立して2011年に設立しました。マイコン、パワー半導体、センサー等に使われる、組込み型の不揮発性（電源を切っても記憶内容を維持する）メモリ製造に必要な工程や回路設計を、知的財産（IP）として半導体メーカーにライセンス提供する事業を展開しています。当社の不揮発性メモリ技術は、競合他社のメモリ技術に比べて、データの書込み・消去時の消費電力が100万分の1と極めて低い上、耐熱性に優れ、チップへの集積に必要な追加コストを1/3程度にまで低減できるといった特徴があります。こうした特徴からすでに国内半導体メーカーの車載用マイコンに搭載されている他、台湾のファウンドリにも採用され、このファウンドリが製造するスマートフォン用部品の組込メモリとして利用されています。
]]> /release/202302243226 Thu, 02 Mar 2023 15:00:00 +0900 Floadia Floadia Completes eFlash IP Qualification on TSMC 130BCD Plus Process and Achieves World's Highest ... Floadia Corporation
Floadia Completes eFlash IP Qualification on TSMC 130BCD Plus Process and Achieves World's Highest Data Retention for 10 Years at 200 C
- Engagements with Chip Vendors to Begin Mass Production at TSMC -
 
Floadia Corporation (hereinafter "Floadia"), a developer of embedded flash memory IP cores (eFlash IP) based in the Tokyo suburb of Kodaira-shi, has completed qualification of its eFlash IP, G1, on the 130BCD Plus process of TSMC, the world's largest semiconductor foundry headquartered in Taiwan. G1 passed the qualification criteria of data retention for 10 years at 125 C after 10,000 program and erase operations. The same test was conducted at an even higher temperature of 200 C, and G1 achieves the world's highest quality level of data retention for 10 years.
 
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The BCD process is a process technology that enables the integration of three types of devices on a single chip: bipolar, CMOS, and DMOS. The BCD process technology gets more and more attention because it is indispensable for the realization of "smart power management IC." This type of IC integrates a power management IC, which handles high voltages and large currents, and an MCU (microcontroller) on a single chip. At the same time, demand for non-volatile memory (memory that retains data even when the power is turned off) on the BCD process is increasing to store programs and various parameters in the MCU.
 
The "hot electron injection floating gate" MTP has been regarded as the most promising non-volatile memory for the BCD process because it requires almost no additional process steps. However, this type of MTP has the risk of poor data retention caused by stress-induced leakage current (SILC). Failure to read data correctly can lead to a major quality failure. Circuit design is usually adopted to reduce the risk, but, in the meantime, it increases the cost due to the large chip size.
 
Floadia's G1 is a SONOS-type memory cell and it uses Fowler-Nordheim (FN) tunneling for program and erase operations. This offers the following advantages: 1) low power consumption during rewrite, 2) small IP size, 3) high data retention because of no SILC phenomenon, 4) only three additional masks required, and 5) short test and bake times. Moreover, the thermal budget of G1's additional processes won’t affect the existing BCD devices. For this reason, the process design kit (PDK) provided by the foundry and the SPICE models (models describing the operation of transistors and passive devices) included in the PDK can be kept the same. As a result, chip companies can reuse all existing IP assets while adding G1, and thus reducing product development time.
 
With the completion of G1 qualification on the TSMC 130BCD Plus process, Floadia will continue to support G1-based products; G1 is suitable for wireless charger ICs, USB power supply ICs, motor driver ICs, and programmable mixed-signal ICs. Some automotive electronic control unit applications have adopted G1 to reduce PCB size by 60% and weight by 80% by one integrated chip which was previously composed of multiple discrete components.
 
"Our G1 was firstly used in several smartphone ICs shortly after the company was founded in 2011. Since then, G1 adoption has expanded to multiple foundries and IDMs, from consumer chips to automotive chips," said Floadia President Kosuke Okuyama. "We are pleased that G1's qualification on the TSMC 130BCD Plus process will facilitate the integration of smart power management ICs, which has been expected for long."
 
About Floadia Corporation
The company was established in 2011 by a group of experienced engineers, who had developed embedded non-volatile memory for more than 20 years at Hitachi, Ltd. and Renesas Technology (now Renesas Electronics Corporation) and became independent. Floadia licenses the processes and circuit designs necessary to manufacture embedded non-volatile memory (memory that retains its contents even when the power is turned off) used in microcontrollers, power semiconductors, sensors, and other devices to semiconductor manufacturers as intellectual property (IP). Compared to competing memory technologies, Floadia’s non-volatile memory technology consumes only 1/1,000,000 of the power required to write and erase data, has excellent heat resistance, and requires only 1/3 of the additional cost to integrate into a chip. These features have already led to its use in automotive microcontrollers by a Japanese semiconductor manufacturer, and it has also been adopted by a foundry in Taiwan, where it is being used as embedded memory in smartphone components manufactured by the foundry.
 
]]> /release/202203259109 Tue, 29 Mar 2022 14:30:00 +0900 フローディア   フローディアの手がけるComputing in Memoryチップの開発が、 東京都が実施する「未来を拓くイノベーションTOKYOプロジェクト」に採択   ～AIの推論演算を圧倒的な低電力で実行...  
フローディアの手がけるComputing in Memoryチップの開発が、 東京都が実施する「未来を拓くイノベーションTOKYOプロジェクト」に採択
 
～AIの推論演算を圧倒的な低電力で実行するアクセラレーターチップの開発を加速～
 
株式会社フローディア（本社：東京都小平市、代表取締役社長：奥山幸祐、以下「フローディア」）が手がけるCIM（Computing in Memory）チップの開発が、東京都が実施する「未来を拓くイノベーションTOKYOプロジェクト」に採択されました。本プロジェクトは、波及効果のある新たなビジネスの創出を目的とし、東京都内のベンチャー企業や中小企業が大企業等とのオープンイノベーションにより事業化する革新的なサービス、製品等を対象に、その開発、実証、販路開拓等に要する経費の一部を補助することを目的としたものです。フローディアは、令和3年度の採択企業2社のうちの1社として、20社の応募企業の中から選出されました。
 
　CIMはフラッシュメモリなどの不揮発性メモリーにニューラルネットワークの重みを記憶し、このメモリーアレイに電流を流すことで多数の積和演算を並列に実行する手法です。メモリーから大量のデータを読み出しCPUやGPUで積和演算を行う一般的なAIアクセラレーターに比べて大幅に消費電力が抑えられることから、IoT機器に代表されるエッジコンピューティング環境向けのAIアクセラレーターとして世界的に注目を集めています。フローディアは、CIM向けの1セル当たり7ビットを記録できるフラッシュメモリにおいて150℃で10年間のアナログデータ保持が可能になる技術を開発し試作チップで動作を確認したことを、2021年12月に発表しています。
 
　未来を拓くイノベーションTOKYOプロジェクトに採択されたことで、フローディアはCIMチップの自社開発にかかる事業費の半分に当たる約3億円の補助金の交付を東京都より受ける予定です。開発するチップには、専用ソフトウエアを入れ替えることでさまざまなアプリケーションにおいてCIMの性能を引き出せる機能を搭載する予定です。このチップは小さな面積ながら100TOPS/Wと既存のAIアクセラレーターをはるかに凌ぐ単位消費電力当たりの演算性能を発揮する見込みです。このため、例えば電池で長時間動作するIoT機器で、現在の自動運転車に匹敵するような高度なAIの推論演算を実行できるようになります。有線による電力供給が難しい農業分野やインフラ分野などでの利用も期待できます。
 
CIMチップで動作する専用ソフトウエアの開発にあたっては、AIアルゴリズムに高い知見を有するソフトウエア開発企業や大学研究機関と広く連携していく予定です。完成した専用ソフトウエア群はCIMチップと組み合わせることで、エッジコンピューティング環境に向けた高性能のAIアクセラレーターとして、さまざまな分野に採用を働きかけていく計画です。
 
本プレスリリースに関する問い合わせ先： https://floadia.com/jp/#contact
未来を拓くイノベーションTOKYOプロジェクト：https://mirai-innovation.tokyo/
 
【 株式会社フローディアについて 】
日立製作所やルネサステクノロジ（現ルネサスエレクトロニクス）で、組込み型不揮発性メモリーを20年以上にわたり開発していた経験豊富なエンジニア達が独立して2011年に設立しました。マイコン、パワー半導体、センサー等に使われる、組込み型の不揮発性（電源を切っても記憶内容を維持する）メモリー製造に必要な工程や回路設計を、知的財産（IP）として半導体メーカーにライセンス提供する事業を展開しています。当社の不揮発性メモリー技術は、競合他社のメモリー技術に比べて、データの書込み・消去時の消費電力が100万分の1と極めて低い上、耐熱性に優れ、チップへの集積に必要な追加コストを1/3程度にまで低減できるといった特徴があります。こうした特徴からすでに国内半導体メーカーの車載用マイコンに搭載されている他、台湾のファウンドリにも採用され、このファウンドリが製造するスマートフォン用部品の組込メモリーとして利用されています。
以上
 
]]> /release/202112064501 Fri, 10 Dec 2021 15:00:00 +0900 Floadia Floadia Develops Memory Technology That Retains Ultra-high-precision Analog Data for Extended Perio... Floadia Corporation
Floadia Develops Memory Technology That Retains
Ultra-high-precision Analog Data for Extended Periods
 
 
- This Technology, Set for Presentation at SEMICON JAPAN at Tokyo Big Sight, Is to Be Applied to Computing-in-Memory Chips That Can Perform AI Inference Operations at Overwhelmingly Low Power -
 
Floadia Corporation, headquartered in Kodaira-shi, Tokyo, has developed a prototype 7-bit-per-cell flash memory chip that can retain analog data for 10 years at 150 degrees Celsius by devising a memory cell structure and control method. With the existing memory cell structure, the problem of characteristic change and variation due to charge leakage was significant, and the data retention was only about 100 seconds.
 
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Floadia will apply the memory technology to a chip that realizes AI (artificial intelligence) inference operations with overwhelmingly low power consumption. This chip is based on an architecture called Computing in Memory (CiM), which stores neural network weights in non-volatile memory and executes a large number of multiply-accumulate calculations in parallel by passing current through the memory array. CiM is attracting worldwide attention as an AI accelerator for edge computing environments because it can read a large amount of data from memory and consumes much less power than conventional AI accelerators that perform multiply-accumulate calculations on CPUs and GPUs.
 
This memory technology is based on SONOS-type flash memory chips developed by Floadia for integration into microcontrollers and other devices. Floadia made numerous innovations such as optimizing the structure of charge-trapping layers, i.e. ONO film, to extend the data retention time when storing 7 bits of data. The combination of two cells can store up to 8 bits of neural network weights, and despite its small chip area, it can achieve a multiply-accumulate calculation performance of 300 TOPS/W, far exceeding that of existing AI accelerators.
 
The content of this technology will be exhibited at a booth (booth number 1746) of SEMICON JAPAN to be held at Tokyo Big Sight from December 15 to 17, 2021, and Floadia’s CTO, Yasuhiro Taniguchi will give a lecture at "TechSTAGE" from 11:15 a.m. (JST) on December 15.
 
About Floadia Corporation
The company was established in 2011 by a group of experienced engineers who had been developing embedded non-volatile memory chips for more than 20 years at Hitachi, Ltd. and Renesas Technology (now Renesas Electronics Corporation). Floadia is engaged in the business of licensing the processes and circuit designs required to manufacture an embedded non-volatile memory (which retains its memory content even when the power is turned off) for use in microcomputers, power semiconductors, sensors, and other devices to semiconductor manufacturers as intellectual property (IP). Compared with competing memory technologies, Floadia's non-volatile memory technology requires extremely low power consumption of only one-millionth that of its competitors when writing and erasing data, while having excellent heat resistance and the ability to reduce the additional cost of integrating it into a chip to about one-third. These features have already led to its use in automotive microcontrollers by a Japanese semiconductor manufacturer, and it has also been adopted by a Taiwanese foundry for use as embedded memory chips in smartphone components manufactured by the foundry.
]]> /release/202112064494 Wed, 08 Dec 2021 14:00:00 +0900 フローディア   ～AIの推論演算を圧倒的な低電力で実行できるComputing in Memoryチップに応用へ～   株式会社フローディア（本社：東京都小平市、代表取締役社長：奥山幸祐、以下「フローディア」）...  
～AIの推論演算を圧倒的な低電力で実行できるComputing in Memoryチップに応用へ～
 
株式会社フローディア（本社：東京都小平市、代表取締役社長：奥山幸祐、以下「フローディア」）は、自社開発した1セル当たり7ビットを記録できるフラッシュメモリの試作チップにおいて、メモリセルの構造及び制御方法を工夫することで、150℃で10年間のアナログデータ保持が可能になることを確認しました。既存のメモリー構造では、電荷漏れによる特性の変化及びばらつきの問題が大きく、100秒間程度維持するのが限界でした。
 
フローディアは今回開発したメモリー技術をAI（人工知能）の推論演算を圧倒的な低消費電力で実現するチップに応用します。このチップは不揮発性メモリーにニューラルネットワークの重みを記憶し、このメモリーアレイに電流を流すことで多数の積和演算を並列に実行する、Computing in Memory（CiM）と呼ぶ仕組みに基づくものです。CiMは、メモリーから大量のデータを読み出しCPUやGPUで積和演算を行う一般的なAIアクセラレーターに比べて大幅に消費電力が抑えられることから、エッジコンピューティング環境向けのAIアクセラレーターとして世界的に注目を集めています。
 
今回開発したメモリー技術は、フローディアがマイコンなどへの集積向けに開発したSONOS型フラッシュメモリをベースとしたもので、7ビット格納時にデータ保持時間を延長するために絶縁膜の構成を最適化するといった工夫を加えています。二つのセルを組み合わせることでニューラルネットワークの重みを最大8ビット記憶でき、小さなチップ面積ながら300TOPS/Wと既存のAIアクセラレーターをはるかに凌ぐ単位消費電力当たりの積和演算性能を実現可能です。
 
本技術の内容は、2021年12月15日～17日に東京ビッグサイトで開催される「SEMICON JAPAN」のブース（小間番号1746）において展示するほか、弊社CTOの谷口が12月15日11:15から「TechSTAGE」にて講演を行い説明します。
 
本プレスリリースに関する問い合わせ先： https://floadia.com/jp/#contact
 
【 株式会社フローディアについて 】
日立製作所やルネサステクノロジ（現ルネサスエレクトロニクス）で、組込み型不揮発性メモリーを20年以上にわたり開発していた経験豊富なエンジニア達が独立して2011年に設立しました。マイコン、パワー半導体、センサー等に使われる、組込み型の不揮発性（電源を切っても記憶内容を維持する）メモリー製造に必要な工程や回路設計を、知的財産（IP）として半導体メーカーにライセンス提供する事業を展開しています。当社の不揮発性メモリー技術は、競合他社のメモリー技術に比べて、データの書込み・消去時の消費電力が100万分の1と極めて低い上、耐熱性に優れ、チップへの集積に必要な追加コストを1/3程度にまで低減できるといった特徴があります。こうした特徴からすでに国内半導体メーカーの車載用マイコンに搭載されている他、台湾のファウンドリにも採用され、このファウンドリが製造するスマートフォン用部品の組込メモリーとして利用されています。
 
 
以上
]]> /release/202111243835 Thu, 25 Nov 2021 14:00:00 +0900 フローディア   組込みメモリ開発のフローディアが開発する高品質フラッシュメモリが、 中国ファウンドリ大手HHGraceの180nmBCDプロセスで利用可能に   株式会社フローディア（本社：東京都小平市、代表取... 株式会社フローディア
 
組込みメモリ開発のフローディアが開発する高品質フラッシュメモリが、 中国ファウンドリ大手HHGraceの180nmBCDプロセスで利用可能に
 
株式会社フローディア（本社：東京都小平市、代表取締役社長：奥山幸祐、以下「フローディア」）は、自社が開発した高品質埋め込み型不揮発性メモリのIPコア「LEE フラッシュZT」（以下「ZT」）が、中国の大手ファウンドリ（半導体製造企業）、Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation（HHGrace）の180nmBCDプロセスで利用可能になったことを発表しました。
 
ZTは、標準ロジックおよびBipolar-CMOS-DMOS（BCD）プロセスと完全に互換性があります。一般的なフラッシュメモリのIPコアと異なり追加のマスク（シリコンウエハー上に回路パターンを転写するための原版）や工程を必要としないことから、製造コストを抑えることが可能です。数kビットのメモリ容量をサポートし、150℃の環境下において10年間のデータ保持と最大10万回の書き換えが可能です。また、データの書き込みと消去にFNトンネリング方式を採ることから、こうした動作をする際の消費電力が低いといった特徴も備えます。
 
ZTは、日本のIDM（設計から製造、販売までを一貫して行う半導体メーカー）数社による採用実績があり、駆動系、圧力センサー、モータードライバー、エンジン制御等、さまざまな自動車アプリケーションに向けたマイコンに集積されています。 HHGrace の180nmBCDプロセスに採用されたZTの容量は、自動車および産業用途のチップに最適な4kビットで、出荷後のチップのトリミングやキャリブレーションに加え、頻繁なID更新等をサポートします。今回HHGraceで製造が始まるのは中国国内の半導体メーカーの自動車用チップで、2022年に量産展開を予定しています。
 
本プレスリリースに関する問い合わせ先： https://floadia.com/jp/#contact
 
【 株式会社フローディアについて 】
日立製作所やルネサステクノロジ（現ルネサスエレクトロニクス）で、組込み型不揮発性メモリを20年以上にわたり開発していた経験豊富なエンジニア達が独立して2011年に設立しました。マイコン、パワー半導体、センサー等に使われる、組込み型の不揮発性（電源を切っても記憶内容を維持する）メモリ製造に必要な工程や回路設計を、知的財産（IP）として半導体メーカーにライセンス提供する事業を展開しています。当社の不揮発性メモリ技術は、競合他社のメモリ技術に比べて、データの書込み・消去時の消費電力が100万分の1と極めて低い上、耐熱性に優れ、チップへの集積に必要な追加コストを1/3程度にまで低減できるといった特徴があります。こうした特徴からすでに国内半導体メーカーの車載用マイコンに搭載されている他、台湾のファウンドリにも採用され、このファウンドリが製造するスマートフォン用部品の組込メモリとして利用されています。
 
【Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation（HHGrace）について 】
2011年にHua Hong Semiconductor社（華虹半導体）とGrace Semiconductor Manufacturing社（GSMC、宏力半導体製造）が合併して設立された、中国のHuahong Groupグループのファウンドリ会社。組込み型不揮発性メモリ、パワーデバイス、アナログ製品などに焦点をあてたプロセスプラットフォームを特徴としています。
 
 
以上
]]> /release/202010266215 Wed, 28 Oct 2020 15:00:00 +0900 Floadia Floadia Raises 1.2 Billion Yen to Develop New Memory Technology That Can Be Disruptor in AI Edge Co... Floadia Corporation
Floadia Raises 1.2 Billion Yen to Develop New Memory Technology That Can Be Disruptor in AI Edge Computing
 
Floadia Corporation headquartered in Kodaira-shi, Tokyo, has raised approximately 1.2 billion yen in the Series C round of financing. Using this fund, Floadia will expand its existing embedded memory business and develop a new semiconductor memory technology that can make a breakthrough in AI edge computing with ultra-low power consumption.
 
(Logo: /prwfile/release/M104461/202010266215/_prw_PI1fl_i31M1Hf9.jpg)
 
Teijin Co., Ltd. took the lead position for the Series C and undertook a total of 530 million yen together with TEL Venture Capital Inc., a wholly owned subsidiary of Tokyo Electron, in the first closing. In the second closing, Miyako Capital, Marubeni Ventures, NEC Capital Solutions, and IDATEN Ventures undertook a total of 510 million yen. Furthermore, Japan Finance Corporation has also provided a loan of 180 million yen.
 
Floadia was founded in 2011 by veteran engineers who left Renesas Electronics. The company licenses its intellectual property (IP), including the manufacturing process and circuit design which enable embedded non-volatile memory production. Its memories are mainly used for micro-computers, power semiconductors, sensors and other semiconductor devices, and significantly reduce power consumption and cost, with auto-grade heat endurance capability. Floadia's non-volatile memory technology is characterized by extremely low power consumption for write/erase operations per memory cell, which is one-millionth of that of competitors*. Furthermore, the simple manufacturing process enables customers to minimize the development time and reduce the additional manufacturing cost to one-third of that of competitors. Floadia’s memories have been utilized in in-vehicle microcomputers and also adopted in Toshiba microcontrollers. They are also used for smartphone components manufactured by Taiwanese foundries.
 
* Floadia’s non-volatile memory uses FN tunneling so that power consumption for write/erase operations per memory cell is one-millionth of that of competitors using a hot carrier method.
 
Floadia’s memories can also be embedded without changing other already existing IP designs, making analog/digital integration much easier. As the evolution of 5G smart phones, smart watches, wireless earphones and various battery-powered IoT devices continues, their power consumption, device size and cost will become more essential than ever. In order to further reduce device size and cost, there is an increasing trend to integrate digital circuits and analog circuits on the same chip. Currently, Floadia is working with major foundries to transplant its technology on the 130nm BCD Plus (Bipolar / CMOS / DMOS integrated) platform, and plans mass production from the early part of 2021.
 
Taking advantage of this funding, Floadia will also accelerate the development of AI edge computing devices that can significantly reduce power consumption.
 
Currently, AI computing is mainly performed using large-scale data center servers on the cloud side. It is said that AI calculation in the cloud requires enormous power and that there are also data security issues. On the other hand, for AI computing that requires real-time transaction in advanced machines such as autonomous cars and drones, it is essential to perform AI computing on the edge side without connecting to the cloud. By adopting Floadia's memory technology, it is possible to significantly enhance the power efficiency of AI calculation 100 to 1,000 times better.
 
Floadia had raised about 2.4 billion yen from INCJ (Japanese government fund), UMC Capital (Taiwanese foundry’s affiliate), Faraday Technology (Taiwanese ASIC design company), etc. The total amount of funds raised up to now is approximately 3.6 billion yen.
 
]]> /release/202010236126 Mon, 26 Oct 2020 11:30:00 +0900 フローディア   組込みメモリー開発のフローディアが12億円の資金調達   株式会社フローディア（本社：東京都小平市、代表取締役社長：奥山幸祐、以下「フローディア」）は、シリーズC投資ラウンドにて約12億円の資金... 株式会社フローディア
 
組込みメモリー開発のフローディアが12億円の資金調達
 
株式会社フローディア（本社：東京都小平市、代表取締役社長：奥山幸祐、以下「フローディア」）は、シリーズC投資ラウンドにて約12億円の資金調達を行いました。当社はこの資金を活用して、既存の組込メモリー事業を拡大していくと共に、新たにエッジコンピューティング側のAI演算に向け、単位消費電力あたりの演算能力が圧倒的に高い半導体デバイスを開発していきます。
 
今回の資金調達では、帝人株式会社がリード投資家となり、東京エレクトロン株式会社の100%子会社であるTEL Venture Capital Inc.と共に、第一回クロージングにて合計5.3億円の第三者割当増資を引き受けております。また第二回クロージングにおいては、みやこキャピタル株式会社、丸紅ベンチャーズ株式会社、NECキャピタルソリューション株式会社、IDATEN Ventures合同会社が、合計5.1億円の第三者割当増資を引き受けております。更に日本政策金融公庫も1.8億円の融資を実行しております。
 
フローディアは、ルネサスエレクトロニクス出身の技術者が2011年に設立したベンチャー企業です。マイコン、パワー半導体、センサー等に使われる、組込み型の不揮発性（電源を切っても記憶内容を維持する）メモリー製造に必要な工程や回路設計を、知的財産（IP）として半導体メーカーにライセンス提供する事業を展開しています。当社の不揮発性メモリー技術は、競合他社のメモリー技術に比べて、データの書込み・消去時の消費電力が100万分の1*1と極めて低い上、耐熱性に優れ、チップへの集積に必要な追加コストを1/3程度にまで低減できるといった特徴があります。こうした特徴からすでに車載用のマイコンに搭載されている他、東芝のマイコンに採用されるなど実績を積み上げています。また、台湾のファウンドリ（半導体製造企業）にも採用され、このファウンドリが製造するスマホ用部品の組込メモリーとして利用されています。
 
当社の不揮発性メモリーは、既存の製造プロセスを利用しながら、他の回路や設計資産に影響を与えずにチップに集積できるという特徴も備えます。5Gスマホやスマートウォッチ、ワイヤレスイヤホン、各種IoT機器などの開発において、回路の集積度の向上と消費電力の低減は、これまで以上に重要になります。こうした中、これまで別々のチップに集積していたデジタル回路とアナログ回路を、同一チップに混載するといったことが求められています。すでに当社は、デジタル-アナログ混載チップの製造プロセスとして今後主力となる130nm BCD plus（Bipolar・CMOS・DMOS混載）のプラットフォームに本不揮発性メモリー技術を搭載すべく、主要ファウンドリと協業を進めており、2021年初頭からの大量生産に繋げる計画です。
 
また当社は今回調達した資金で、不揮発性メモリー技術を利用することで、既存技術に比べて圧倒的に低い消費電力で、高度なAIの演算を行える半導体デバイスの開発を加速させます。
 
現在、高度なAIの演算は主にデータセンター等クラウド側にある大規模サーバー群で行われています。ところがクラウドでのAI演算は、膨大な電力を要する事やデータセキュリティの点での課題が指摘されています。一方、自動運転車やドローンなど、リアルタイム性が必要な用途では、クラウドに依存せずにエッジ側でAI演算を行うことが必須となります。当社の不揮発性メモリー技術を利用した半導体デバイスが実用になれば、AI演算時の消費電力を大幅に抑えることが可能になり、現在はクラウドを利用しなければ実現できない高度なAI演算を、エッジ側で行うことが可能になります。
 
当社はこれまでに、INCJや大手ファウンドリUMC傘下のUMC Capital（台湾）、最先端半導体の設計会社であるFaraday Technology（台湾）等から約24億円の資金調達を行っており、今回の資金調達によって累計資金調達金額は約36億円になります。
 
以上
 
本プレスリリースに関する問い合わせ先： https://floadia.com/jp/#contact
 
*1 フローディアの不揮発性メモリー技術は、データの書込み・消去にFNトンネル現象を使うため、ホットキャリアを利用する競合他社の技術と比べて、メモリーセル１つあたりの書込み・消去に使う電力が100万分の1と極めて低くなります。
]]> /release/201707043397 Wed, 05 Jul 2017 15:00:15 +0900 フローディア 今後、自社の優位性ある不揮発性メモリIPの事業拡大を目指し、台湾・中国本土を中心とする主要なファンドリー各社に展開する。主な用途は、自動車、並びに低コストが要求されるIoT(Internet of Things)端末市場。 株式会社フローディア
株式会社フローディア、日台のファンド協調で16億円の資金調達を完了、
次世代組込型不揮発メモリの事業展開を加速
　株式会社フローディア（以下「フローディア」、本社：東京都小平市、代表取締役社長：奧山幸祐）は、組込型不揮発性メモリ IPの今後の事業拡大に必要な資金として、国内外の主要投資グループ、並びに事業会社を中心に、16億円の資金調達を実施しました。
　主たる出資は台湾の半導体ファンドリー会社関連のVCによって行われ、さらに国内主要投資会社・事業会社も賛同するという画期的枠組みで実施されました。フローディアは今回調達した資金に依り、開発中の不揮発性メモリIPを主要なファンドリー各社に展開する活動を継続的に強化する計画です。

　今回フローディアに資金を拠出したVCおよび基金は以下の各社です。
　Fortune Venture Capital Corporation；　台湾UMC Capitalグループ、本社：台北市
　Chih-Hung Investment Corporation；　台湾Faraday Technology Corporation グループ、本社：新竹市
　株式会社産業革新機構；　本社：東京都千代田区
　Golden Asia Fund.；　三菱ＵＦＪキャピタル株式会社と台湾ITIC (ITRIグループ) の共同ファンド、本社：Cayman諸島
　大和企業投資株式会社；　本社：東京都千代田区
　SBIインベストメント株式会社；　本社：東京都港区
　リアルテックファンド；　運営会社：合同会社ユーグレナSMBC日興リバネスキャピタル、東京都港区
　株式会社みらい創造機構；　本社：東京都千代田区
　TEL Venture Capital, Inc.；　東京エレクトロングループ、本社：米国カルフォルニア州

　フローディアは、ルネサスエレクトロニクス株式会社でフラッシュメモリを開発していたエンジニアが2011年に設立したベンチャー企業です。メモリ製造に必要な工程・回路を、IP（回路ブロック、及び製法）としてライセンス提供するビジネスモデルを展開しています。フローディアの開発チームは、回路設計と製造プロセスを含むIP技術全般をカバーしており、顧客の要求スペックに応じた最適メモリの開発が可能で、且つ次世代のIoT（Internet of Things）端末、自動車用高信頼性部品に最も適した組込型不揮発性メモリIPを提供できることを強みとしています。
　フローディアは、2015年6月に、組込型不揮発メモリIPの開発加速のため、株式会社産業革新機構、三菱ＵＦＪキャピタル株式会社、及び大和企業投資株式会社の3社から、計8億円の資金調達を行っております。
今回の資金調達は、先の資金による開発成果を事業に拡大することを目的としており、IoT（Internet of Things）社会に求められる「使い易く、頑強・高信頼性で、低コストな」組込型不揮発性メモリIPを幅広く提供することを可能にするものです。加えてその技術の特徴を従来の組込型不揮発メモリIP市場のみならず、多様な用途に応用展開することも視野に入れた活動を展開してまいります。

　台湾第2位ファンドリーメーカUMCグループの一員であるUMC Capitalの取締役Duen-Chian Cheng 氏からは、次のコメントを頂いています。
「組込型不揮発メモリはSoCの主要なコンポーネントと考えられ、ファンドリーとしては、プロセスの微細化とともに、そのIPの顧客への提供価格、および信頼性を如何に担保するかが大きな課題となっている。我々はFloadiaのSONOS技術が車載を含めた市場要求を十分に満たす実績のあるものと評価している。」
　また台湾ITRIグループ投資部門であるITICのExecutive VP CJ. Chang氏は、
「IoT端末にとって、組込型不揮発性メモリは不可欠の構成要素である。フローディアの高信頼性、且つ、低価格の組込型不揮発性メモリは、IoT端末の大量普及を可能にし、IoTビジネスの収益性を高めることが期待される。フローディアは、製品展開において顧客に近い台湾を設計の重要拠点と位置づけ、日本と台湾との連結したビジネスを推進している。このような両国間に渡る協力関係でビジネスが展開され、世界市場に拡大していくという事業モデルが、新たな投資対象として期待される。」と語っています。
　株式会社産業革新機構の勝又幹英代表取締役社長からは、以下のコメントを頂いています。
「組込型不揮発性メモリは、IoTが実装される第四次産業革命において、より一層多様な用途で需要が拡大していくことが予測される。このような状況下で、フローディアが開発・提供する組込型不揮発性メモリは、省電力・省スペース・低コスト化の要求を確実に実現することにより、車載アプリケーションへの対応に加え、従来の組込型不揮発性メモリの適用領域を大きく超える可能性を持っている。日本発の半導体技術が世界的に発展していくことを期待している。」

注）不揮発性メモリ：電源供給を行わない状態でも書き込まれたデータが消えない半導体メモリの総称。　

株式会社フローディアについて
　設立　　　　　　　2011年4月
　事業内容　組込型不揮発性メモリの設計開発
　本社所在地　東京都小平市小川東町1丁目30番9号
　代表取締役社長　奥山　幸祐（おくやま　こうすけ）
]]> /release/201707043369 Wed, 05 Jul 2017 15:00:06 +0900 Floadia Floadia Corporation (hereinafter "Floadia") headquartered in Tokyo, Japan, announced on July 5 that it successfully closed "Series B" fundraising of 1.6 billion Japanese yen (US$14.5 million) to use the funds ... Floadia Corporation
Floadia Completes Fundraising of 1.6 Bil. JPY from 9 VCs in Japan and Taiwan for Investment,,,
Floadia Corporation (hereinafter "Floadia") headquartered in Tokyo, Japan, announced on July 5 that it successfully closed "Series B" fundraising of 1.6 billion Japanese yen (US$14.5 million) to use the funds to continue the commercial supply of its embedded flash memory IP to major foundries. Floadia's Series B is mainly funded by Taiwanese VCs under a leading semiconductor foundry group and ITRI, along with leading Japanese VCs.

(Logo: http://prw.kyodonews.jp/prwfile/release/M104461/201707043369/_prw_PI1fl_F9NTThTH.png)

The investment has been funded by:
- Fortune Venture Capital Corporation (one of the funds collectively known as UMC Capital),
- Chih-Hung Investment Corporation (Taiwan Faraday group),
- Innovation Network Corporation of Japan ("INCJ"),
- Golden Asia Fund Ventures Ltd. (Joint Fund of Mitsubishi UFJ Capital Co., Ltd., and Taiwan ITIC, an investment institution owned by ITRI),
- Daiwa Corporate Investment Co., Ltd. ("Daiwa" in Japan),
- SBI Investment Co. Ltd. in Japan,
- Real Tech Fund (euglena SMBC Nikko Leave-a-Nest Capital L.L.C. in Japan),
- Innovations and Future Creation Inc. in Japan,
- TEL Venture Capital, Inc. in U.S.

Established in 2011, Floadia is a spin-out made up of experienced engineers who were developing embedded non-volatile memory at Renesas Electronics Corporation. The company licenses its intellectual property (IP), including manufacturing process and circuit designs, enabling embedded non-volatile memory production. Floadia's engineering team is comprised of experienced memory circuit designers and industry veterans with broad experience in fabrication processes, manufacturing, and reliability. One of the company's strengths is its ability to develop optimal memory IP according to customer specifications and preferred manufacturing process technology.

Two years ago, in 2015, Floadia raised 800 million JPY (US$7.3 million) of Series A funds from INCJ, Mitsubishi UFJ Capital Co., Ltd. and Daiwa. The main purpose of Series B fundraising is to expand its embedded flash IP business into high reliability, and high-performance applications such as automotive, low-cost IoT device and mobile device markets.

Mr. Mikihide Katsumata, President and COO of INCJ, said: "Embedded Flash Memories are expected to expand their demand for more diverse applications through the Fourth Industrial Revolution in which IoT devices will be implemented. Floadia provides the ultimate solution for these market requirements offering high reliability and secures automobile applicable applications with low power, small area and low cost features. I hope Floadia will expand these marvelous technologies and products born in Japan to the worldwide market and contribute to the growth of the IoT world."

"Embedded flash plays an essential role in SoC designs, but with the need for continuous process migration, it becomes more and more difficult to enable a cost-effective and robust embedded flash IP in pure-play foundries. Floadia's SONOS based embedded flash is a proven technology with a long history within IDM suppliers of automotive MCUs," said Mr. DC Cheng, Board Director of UMC Capital. "Beyond the traditional embedded non-volatile memory usage in SoC, we see more potential for Floadia's embedded flash technology in NVSRAM and the possibility to enable future AI electronics devices," he added.

"The Internet of Things (IoT) is expected to become more pervasive and, as a key component of IoT products, memory is indispensable. Customers who are aggressively going after the IoT market demand low cost, low power, and ease of use. Floadia's introduction of a game-changing embedded flash technology addressing these requirements is highly anticipated," said Mr. CJ Chang, Executive Vice President of ITIC. "Floadia will move forward, combining the strength of our bit cell development in Japan, and macro design in Taiwan. We are happy to see such a successful Japan-Taiwan collaboration model."

*Non-volatile memory is the general term for semiconductor memory which can hold saved data even in the absence of a power supply. Floadia licenses non-volatile memory as an IP block.

About Floadia Corporation
Established: April 2011
Business outline: Design and development of embedded non-volatile memory
Representative Director, President: Kosuke Okuyama
Website: http://floadia.com
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